重磅！东方晶源两项成果登上SPIE国际权威期刊

日前，第49届SPIE Advanced Lithography + Patterning会议在美国加州圣何塞拉开帷幕。作为半导体行业关于光刻和图形成型技术最具影响力的国际会议，本届大会吸引了来自全球各地的专家、学者，带来近600篇论文，涉及极紫外光刻、新型图形技术、微光刻的计量、检验和过程控制等六大领域。

SPIE是致力于光学、光子学、光电子学和成像领域的研究、工程和应用的著名专业学会，每年召开众多学术会议，所形成的会议文献反映了相应专业领域的最新进展和动态，具有极高的学术价值。

东方晶源两篇检测量测技术相关论文被SPIE Advanced Lithography + Patterning会议论文集收录，并受邀在会议现场通过演讲及海报展示等形式进行分享，成为本次大会上出现为数不多的“中国面孔”。此外，东方晶源在本届大会发布的论文数量和质量均可比肩国际头部公司，展现出在半导体检测量测领域的技术实力，以及不断探索前沿技术的前瞻性和领先性。

论文一:Anovalflow of full-chip OPC model calibration and verification by utilizing SEM imagecontours

本篇论文中，东方晶源提出了优化传统基于CD数据进行OPC(光学邻近校正)建模的方式，采用一种创新的流程，将扫描电镜图像轮廓数据加入OPC建模来提高最终OPC模型对芯片图形的全面覆盖能力。流程中引入了芯片图形采样技术，不仅可以确保对芯片图形的全面覆盖，还可以最大限度地减少OPC建模数据收集的工作量。在这项研究中，还实现了东方晶源软件产品和硬件产品的协同优化，可进行全过程自动化的高精度轮廓提取和OPC建模。同时也实现了轮廓提取结果与CD-SEM测量结果的高度匹配，使得同时利用CD数据和轮廓提取数据进行OPC建模成为可能。

东方晶源的研究结果显示，当引入SEM轮廓数据参与OPC模型建模后，新的OPC模型与传统CD量测结果建模在1D Pattern上均有良好表现，同时使用了SEM轮廓建模的OPC模型对2D Pattern也有更好的预测性。这项研究证实了SEM轮廓数据用于OPC建模的可靠性和优势，后续东方晶源将在此领域持续发力，充分发挥在电子束量测和OPC领域的领先优势，为提升集成电路制造良率管理探索更多可能。

该论文演讲后，国际大厂的OPC部门对该技术方案产生了浓厚的兴趣并与东方晶源接洽探讨更多技术细节。

论文二:Innovative wafer defect inspection mode: self-adaptive pattern to pattern inspection

本篇论文中东方晶源提出了一种全新的自适应Pattern-to-Pattern 的晶圆缺陷检测模式。与传统的Die-to-Die (D2D)、Cell-to-Cell (C2C)和Die-to-Database (D2DB)检测方式不同， P2P检测方式对检测区域没有限制，对图像质量依赖性低。因此这种方法可适用于SEM图像，光学图像等广泛缺陷检测领域。P2P检测方式利用设计布局信息，将检测图像与设计图形对齐，并根据设计图形的几何特征划分基本单位。然后通过相同单位彼此比较来分析这些图像区域，从而能够检查独特和复杂的图形。这种自适应方法通过比较对齐的相似图像模式消除了制造工艺变化的影响，从而防止了高度依赖于检测算法造成的缺陷误检。论文中还提供了P2P缺陷检测的实际结果，能相当有效的检出实际缺陷，并且几乎不需要进行Recipe设置。

会后，检测设备的同行积极联系并询问技术细节，对东方晶源提出的上述技术理念给予了高度关注与肯定。

经过十年的技术攻关和不断积累，东方晶源已在计算光刻OPC、电子束量测检测领域取得重大突破，以填补多项国内空白的壮举，成为国内上述领域的领导者。本次两篇论文被SPIE Advanced Lithography + Patterning会议论文集收录，不仅体现出东方晶源的技术实力，以及充分将OPC、CD-SEM等技术优势进行结合的创新探索精神，同时也在国际舞台上展现出中国半导体企业的良好风貌。解国家之忧，创技术之先。未来，东方晶源将继续秉持创办初心，在集成电路良率管理领域持续深耕。